اندرسون، فیلیپ وارن: تفاوت میان نسخهها
Mohammadi3 (بحث | مشارکتها) بدون خلاصۀ ویرایش |
Mohammadi3 (بحث | مشارکتها) بدون خلاصۀ ویرایش |
||
| خط ۲۶: | خط ۲۶: | ||
|پست تخصصی = | |پست تخصصی = | ||
|باشگاه = | |باشگاه = | ||
}}اَندِرسون، فیلیپ وارِن (۱۹۲۳)(Anderson, Philip Warren) | }}اَندِرسون، فیلیپ وارِن (۱۹۲۳-۲۰۲۰م)(Anderson, Philip Warren) | ||
فیزیکدان امریکایی. بهسبب نظریهاش دربارۀ رفتار الکترونها در جامدات مغناطیسی نابلورین<ref>magnetic, noncrystalline solids</ref>، با همکار ارشدش جان وان ولک<ref>John Van Vleck</ref>، جایزۀ نوبل فیزیک ۱۹۷۷ را دریافت کرد. در ایندیاناپولیس<ref>Indianapolis </ref>، واقع در ایندیانا، زاده شد و در دانشگاه هاروارد درس خواند. در ۱۹۴۹، به مرکز آزمایشگاهی بل<ref>Bell Laboratories</ref>، واقع در نیوجرسی<ref>New Jersey</ref>، پیوست و بعدها سمتهای دانشگاهی دیگری را نیز بهعهده گرفت. در اوایل دهۀ ۱۹۶۰، اثرات بیناتمی<ref>interatomic effects</ref> مؤثر در خواص مغناطیسی فلزات<ref>metals </ref> و آلیاژها را بررسی کرد. برای شرح تأثیر ناشی از وجود یک اتم ناخالص<ref>impurity atom</ref> در فلز، مدلی نظری ابداع کرد که اکنون مُدل اندرسون<ref>Anderson model</ref> نامیده میشود. همچنین، تحرک ناخالصیها در اجسام بلورین را، با استفاده از روشی با نام جایگزینی اندرسون<ref>Anderson localization</ref>، توضیح داد. به علاوه، اندرسون ارتباط میان اَبَررسانایی<ref>superconductivity</ref>، اَبَرشارگی<ref>superfluidity </ref>، و عمل لیزر<ref>laser action</ref> را بررسی کرد و وجود مقاومت را در ابررسانا<ref>superconductor </ref>ها پیشبینی کرد. مطالعاتش دربارۀ جامدات شیشهای بینظم<ref>disordered glass solids</ref> نشان میدهد که بهجای نیمرساناهای بلورین<ref>crystalline semiconductors</ref> گرانقیمتی که امروزه در بسیاری از ابزارهای الکترونیکی مثل حافظههای رایانهای<ref>computer memories</ref>، کلیدهای الکترونیکی<ref>electronic switches</ref> و مبدلهای انرژی خورشیدی<ref>solar energy convertor</ref> بهکار میروند، میتوان از جامدات مذکور استفاده کرد.<br/> <!--11547100--> | فیزیکدان امریکایی. بهسبب نظریهاش دربارۀ رفتار الکترونها در جامدات مغناطیسی نابلورین<ref>magnetic, noncrystalline solids</ref>، با همکار ارشدش جان وان ولک<ref>John Van Vleck</ref>، جایزۀ نوبل فیزیک ۱۹۷۷ را دریافت کرد. در ایندیاناپولیس<ref>Indianapolis </ref>، واقع در ایندیانا، زاده شد و در دانشگاه هاروارد درس خواند. در ۱۹۴۹، به مرکز آزمایشگاهی بل<ref>Bell Laboratories</ref>، واقع در نیوجرسی<ref>New Jersey</ref>، پیوست و بعدها سمتهای دانشگاهی دیگری را نیز بهعهده گرفت. در اوایل دهۀ ۱۹۶۰، اثرات بیناتمی<ref>interatomic effects</ref> مؤثر در خواص مغناطیسی فلزات<ref>metals </ref> و آلیاژها را بررسی کرد. برای شرح تأثیر ناشی از وجود یک اتم ناخالص<ref>impurity atom</ref> در فلز، مدلی نظری ابداع کرد که اکنون مُدل اندرسون<ref>Anderson model</ref> نامیده میشود. همچنین، تحرک ناخالصیها در اجسام بلورین را، با استفاده از روشی با نام جایگزینی اندرسون<ref>Anderson localization</ref>، توضیح داد. به علاوه، اندرسون ارتباط میان اَبَررسانایی<ref>superconductivity</ref>، اَبَرشارگی<ref>superfluidity </ref>، و عمل لیزر<ref>laser action</ref> را بررسی کرد و وجود مقاومت را در ابررسانا<ref>superconductor </ref>ها پیشبینی کرد. مطالعاتش دربارۀ جامدات شیشهای بینظم<ref>disordered glass solids</ref> نشان میدهد که بهجای نیمرساناهای بلورین<ref>crystalline semiconductors</ref> گرانقیمتی که امروزه در بسیاری از ابزارهای الکترونیکی مثل حافظههای رایانهای<ref>computer memories</ref>، کلیدهای الکترونیکی<ref>electronic switches</ref> و مبدلهای انرژی خورشیدی<ref>solar energy convertor</ref> بهکار میروند، میتوان از جامدات مذکور استفاده کرد.<br/> <!--11547100--> | ||
| اندرسون، در تاریخ ۲۹ مارس ۲۰۲۰م (در سن ۹۶ سالگی) در پرینستون، نیوجرسی درگذشت. | ||
---- | ---- | ||
[[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]] | [[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]] | ||
نسخهٔ ۷ اکتبر ۲۰۲۵، ساعت ۰۷:۵۴
| فیلیپ وارن اندرسون Philip Warren Anderson | |
|---|---|
| زادروز |
ایندیاناپولیس، ایندیانا ۱۹۲۳م |
| ملیت | امریکایی |
| تحصیلات و محل تحصیل | دانشگاه هاروارد |
| شغل و تخصص اصلی | فیزیک دان |
| سمت | سمت های دانشگاهی |
| گروه مقاله | فیزیک و مکانیک |
| جوایز و افتخارات | جایزه نوبل فیزیک (۱۹۷۷) |
اَندِرسون، فیلیپ وارِن (۱۹۲۳-۲۰۲۰م)(Anderson, Philip Warren)
فیزیکدان امریکایی. بهسبب نظریهاش دربارۀ رفتار الکترونها در جامدات مغناطیسی نابلورین[۱]، با همکار ارشدش جان وان ولک[۲]، جایزۀ نوبل فیزیک ۱۹۷۷ را دریافت کرد. در ایندیاناپولیس[۳]، واقع در ایندیانا، زاده شد و در دانشگاه هاروارد درس خواند. در ۱۹۴۹، به مرکز آزمایشگاهی بل[۴]، واقع در نیوجرسی[۵]، پیوست و بعدها سمتهای دانشگاهی دیگری را نیز بهعهده گرفت. در اوایل دهۀ ۱۹۶۰، اثرات بیناتمی[۶] مؤثر در خواص مغناطیسی فلزات[۷] و آلیاژها را بررسی کرد. برای شرح تأثیر ناشی از وجود یک اتم ناخالص[۸] در فلز، مدلی نظری ابداع کرد که اکنون مُدل اندرسون[۹] نامیده میشود. همچنین، تحرک ناخالصیها در اجسام بلورین را، با استفاده از روشی با نام جایگزینی اندرسون[۱۰]، توضیح داد. به علاوه، اندرسون ارتباط میان اَبَررسانایی[۱۱]، اَبَرشارگی[۱۲]، و عمل لیزر[۱۳] را بررسی کرد و وجود مقاومت را در ابررسانا[۱۴]ها پیشبینی کرد. مطالعاتش دربارۀ جامدات شیشهای بینظم[۱۵] نشان میدهد که بهجای نیمرساناهای بلورین[۱۶] گرانقیمتی که امروزه در بسیاری از ابزارهای الکترونیکی مثل حافظههای رایانهای[۱۷]، کلیدهای الکترونیکی[۱۸] و مبدلهای انرژی خورشیدی[۱۹] بهکار میروند، میتوان از جامدات مذکور استفاده کرد.
اندرسون، در تاریخ ۲۹ مارس ۲۰۲۰م (در سن ۹۶ سالگی) در پرینستون، نیوجرسی درگذشت.
- ↑ magnetic, noncrystalline solids
- ↑ John Van Vleck
- ↑ Indianapolis
- ↑ Bell Laboratories
- ↑ New Jersey
- ↑ interatomic effects
- ↑ metals
- ↑ impurity atom
- ↑ Anderson model
- ↑ Anderson localization
- ↑ superconductivity
- ↑ superfluidity
- ↑ laser action
- ↑ superconductor
- ↑ disordered glass solids
- ↑ crystalline semiconductors
- ↑ computer memories
- ↑ electronic switches
- ↑ solar energy convertor