نیم رسانای اکسید فلزی تکمیلی

از ویکیجو | دانشنامه آزاد پارسی
نسخهٔ تاریخ ‏۲۴ ژوئیهٔ ۲۰۱۹، ساعت ۰۵:۲۳ توسط Nazanin (بحث | مشارکت‌ها)
(تفاوت) → نسخهٔ قدیمی‌تر | نمایش نسخهٔ فعلی (تفاوت) | نسخهٔ جدیدتر ← (تفاوت)

نیم‌رسانای اُکسید فلزی تکمیلی (complementary metal-oxide semiconductor)

(یا: سی‌ماس) در الکترونیک‌، روشی برای ساختن مدارهای مجتمع[۱] (تراشه[۲]ها). مزیت‌ اصلی‌ تراشه‌های‌ سی‌ماس توان‌ مصرفی‌ ناچیز و دفع‌ گرمای‌ آن‌هاست‌ که‌ استفاده‌ از آن‌ها را برای ساخت‌ ساعت‌های‌ الکترونیکی‌ و ریزرایانه‌[۳]های‌ قابل‌ حمل‌ ممکن می‌کند. هزینۀ‌ ساخت‌ مدارهای‌ سی‌ماس در مقایسه‌ با مدارهای‌ خانوادۀ تی‌تی‌اِل (منطق ترانزیستور به ترانزیستور[۴]) بیشتر و سرعت‌ عملیاتی‌ آن‌ها کمتر است.

 


  1. integrated circuit
  2. chip
  3. microcomputer
  4. transistor-transistor logic