نیم رسانای اکسید فلزی تکمیلی
نیم‌رسانای اُکسید فلزی تکمیلی (complementary metal-oxide semiconductor)
(یا: سی‌ماس) در الکترونیک، روشی برای ساختن مدارهای مجتمع[۱] (تراشه[۲]ها). مزیت اصلی تراشه‌های سی‌ماس توان مصرفی ناچیز و دفع گرمای آن‌هاست که استفاده از آن‌ها را برای ساخت ساعت‌های الکترونیکی و ریزرایانه[۳]های قابل حمل ممکن می‌کند. هزینۀ ساخت مدارهای سی‌ماس در مقایسه با مدارهای خانوادۀ تی‌تی‌اِل (منطق ترانزیستور به ترانزیستور[۴]) بیشتر و سرعت عملیاتی آن‌ها کمتر است.