نیم رسانای اکسید فلزی تکمیلی

نیم‌رسانای اُکسید فلزی تکمیلی (complementary metal-oxide semiconductor)

(یا: سی‌ماس) در الکترونیک‌، روشی برای ساختن مدارهای مجتمع (تراشهها). مزیت‌ اصلی‌ تراشه‌های‌ سی‌ماس‌ توان‌ مصرفی‌ ناچیز و دفع‌ گرمای‌ آن‌هاست‌ که‌ استفاده‌ از آن‌ها را برای ساخت‌ ساعت‌های‌ الکترونیکی‌ و ریزرایانه‌های‌ قابل‌ حمل‌ ممکن می‌کند. هزینۀ‌ ساخت‌ مدارهای‌ سی‌ماس در مقایسه‌ با مدارهای‌ خانوادۀ تی‌تی‌اِل (منطق ترانزیستور به ترانزیستور) بیشتر و سرعت‌ عملیاتی‌ آن‌ها کمتر است.

 

---