اثر فتو الکتریک
اَثَرِ فتو الکتریک (photoelectric effect)
فرآیند آزادشدن بار الکتریکی از ماده، براثر تابش الکترومغناطیسی، ازجمله نور مرئی. معمولاً این پدیده را گسیل[۱] الکترون از ماده، معمولاً از سطحی فلزی، بر اثر برخورد فوتون[۲]ها (کوانتاهای تابش الکترومغناطیسی[۳]) نور مرئی یا تابش فرابنفش تلقی میکنند. انرژی الکترونهای گسیلشده وابسته به فرکانس تابش فرودی[۴] است که باید از فرکانس آستانۀ ویژهای بیشتر باشد. هر چه فرکانس بالاتر باشد، انرژی فوتونها بیشتر است. تعداد الکترونهای گسیلشده به شدت تابش[۵] (آهنگ انتقال انرژی در واحد سطح) بستگی دارد. این اثر را نخستینبار هاینریش هرتس[۶] در ۱۸۸۷ مشاهده کرد. او به سبب تحقیقاتش در زمینۀ امواج الکترومغناطیسی[۷] مشهور است. هرتس نشان داد وقتی الکترودها با نور فرابنفش روشن شوند (← تابش_فرابنفش)، جرقۀ الکتریکی آسانتر ایجاد میشود. در ۱۹۰۰، معلوم شد علت این پدیده پرش الکترونها بر اثر تابش نور است. این کشف و نیز شناسایی ذرات بتا[۸]، که با مطالعات پرتوزایی[۹] مشخص شد از جنس الکتروناند، این نکته را اثبات کرد که الکترون در همۀ اتمها یافت میشود. نظریۀ فتو الکتریک[۱۰] یا نظریۀ کوانتومی تابش[۱۱] را آلبرت اینشتین در ۱۹۰۵ صورتبندی کرد.