پرش به محتوا

اندرسون، فیلیپ وارن: تفاوت میان نسخه‌ها

بدون خلاصۀ ویرایش
بدون خلاصۀ ویرایش
بدون خلاصۀ ویرایش
خط ۲۶: خط ۲۶:
|پست تخصصی =
|پست تخصصی =
|باشگاه =
|باشگاه =
}}اَندِرسون، فیلیپ وارِن (۱۹۲۳)(Anderson, Philip Warren)
}}اَندِرسون، فیلیپ وارِن (۱۹۲۳-۲۰۲۰م)(Anderson, Philip Warren)


فیزیک‌دان امریکایی. به‌سبب نظریه‌اش دربارۀ رفتار الکترون‌ها در جامدات مغناطیسی نابلورین<ref>magnetic, noncrystalline solids</ref>، با همکار ارشدش جان وان ولک<ref>John Van Vleck</ref>، جایزۀ نوبل فیزیک ۱۹۷۷ را دریافت‌ کرد. در ایندیاناپولیس<ref>Indianapolis </ref>، واقع در ایندیانا، زاده شد و در دانشگاه هاروارد درس خواند. در ۱۹۴۹،‌ به مرکز آزمایشگاهی بل<ref>Bell Laboratories</ref>، واقع در نیوجرسی<ref>New Jersey</ref>، پیوست و بعدها سمت‌های دانشگاهی دیگری را نیز به‌‌عهده گرفت. در اوایل دهۀ ۱۹۶۰، اثرات بین‌اتمی<ref>interatomic effects</ref>&nbsp;مؤثر در خواص مغناطیسی فلزات<ref>metals </ref>&nbsp;و آلیاژها را بررسی کرد. برای شرح تأثیر ناشی از وجود یک اتم ناخالص<ref>impurity atom</ref>&nbsp;در فلز، مدلی نظری ابداع کرد که اکنون مُدل اندرسون<ref>Anderson model</ref>&nbsp;نامیده می‌شود. همچنین،‌ تحرک ناخالصی‌ها در اجسام بلورین را، با استفاده از روشی با نام جایگزینی اندرسون<ref>Anderson localization</ref>، توضیح داد. به‌ علاوه، اندرسون ارتباط میان اَبَررسانایی<ref>superconductivity</ref>، اَبَرشارگی<ref>superfluidity </ref>، و عمل لیزر<ref>laser action</ref>&nbsp;را بررسی کرد و وجود مقاومت را در ابررسانا<ref>superconductor </ref>ها پیش‌بینی کرد. مطالعاتش دربارۀ جامدات شیشه‌ای بی‌نظم<ref>disordered glass solids</ref>&nbsp;نشان می‌دهد که به‌جای نیم‌رساناهای بلورین<ref>crystalline semiconductors</ref>&nbsp;گران‌قیمتی که امروزه در بسیاری از ابزارهای الکترونیکی مثل حافظه‌های رایانه‌ای<ref>computer memories</ref>، کلیدهای الکترونیکی<ref>electronic switches</ref>&nbsp;و مبدل‌های انرژی خورشیدی<ref>solar energy convertor</ref>&nbsp;به‌‌کار می‌روند، می‌توان از جامدات مذکور استفاده کرد.<br/> <!--11547100-->
فیزیک‌دان امریکایی. به‌سبب نظریه‌اش دربارۀ رفتار الکترون‌ها در جامدات مغناطیسی نابلورین<ref>magnetic, noncrystalline solids</ref>، با همکار ارشدش جان وان ولک<ref>John Van Vleck</ref>، جایزۀ نوبل فیزیک ۱۹۷۷ را دریافت‌ کرد. در ایندیاناپولیس<ref>Indianapolis </ref>، واقع در ایندیانا، زاده شد و در دانشگاه هاروارد درس خواند. در ۱۹۴۹،‌ به مرکز آزمایشگاهی بل<ref>Bell Laboratories</ref>، واقع در نیوجرسی<ref>New Jersey</ref>، پیوست و بعدها سمت‌های دانشگاهی دیگری را نیز به‌‌عهده گرفت. در اوایل دهۀ ۱۹۶۰، اثرات بین‌اتمی<ref>interatomic effects</ref>&nbsp;مؤثر در خواص مغناطیسی فلزات<ref>metals </ref>&nbsp;و آلیاژها را بررسی کرد. برای شرح تأثیر ناشی از وجود یک اتم ناخالص<ref>impurity atom</ref>&nbsp;در فلز، مدلی نظری ابداع کرد که اکنون مُدل اندرسون<ref>Anderson model</ref>&nbsp;نامیده می‌شود. همچنین،‌ تحرک ناخالصی‌ها در اجسام بلورین را، با استفاده از روشی با نام جایگزینی اندرسون<ref>Anderson localization</ref>، توضیح داد. به‌ علاوه، اندرسون ارتباط میان اَبَررسانایی<ref>superconductivity</ref>، اَبَرشارگی<ref>superfluidity </ref>، و عمل لیزر<ref>laser action</ref>&nbsp;را بررسی کرد و وجود مقاومت را در ابررسانا<ref>superconductor </ref>ها پیش‌بینی کرد. مطالعاتش دربارۀ جامدات شیشه‌ای بی‌نظم<ref>disordered glass solids</ref>&nbsp;نشان می‌دهد که به‌جای نیم‌رساناهای بلورین<ref>crystalline semiconductors</ref>&nbsp;گران‌قیمتی که امروزه در بسیاری از ابزارهای الکترونیکی مثل حافظه‌های رایانه‌ای<ref>computer memories</ref>، کلیدهای الکترونیکی<ref>electronic switches</ref>&nbsp;و مبدل‌های انرژی خورشیدی<ref>solar energy convertor</ref>&nbsp;به‌‌کار می‌روند، می‌توان از جامدات مذکور استفاده کرد.<br/> <!--11547100-->


&nbsp;
اندرسون،&nbsp;در تاریخ ۲۹ مارس ۲۰۲۰م (در سن ۹۶ سالگی) در پرینستون، نیوجرسی درگذشت.


----
----


[[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]]
[[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]]
۴۶٬۱۸۷

ویرایش