آرسنید گالیوم: تفاوت میان نسخهها
بدون خلاصۀ ویرایش |
Mohammadi2 (بحث | مشارکتها) بدون خلاصۀ ویرایش |
||
خط ۱: | خط ۱: | ||
آرْسِنیدِ گالیوم (gallium arsenide)<br/> ترکیب گالیوم<ref>gallium</ref> | آرْسِنیدِ گالیوم (gallium arsenide)<br/> ترکیب [[گالیوم]]<ref>gallium</ref> و [[آرسنیک]]<ref>arsenic</ref>، GaAs. برای ساخت لیزرها، سلولهای نوری، و مولدهای ریزموج بهکار میرود. بهسبب دارابودن خواص نیمرسانایی، برای ساختن ریزپردازندهها رقیب سیلیسیم<ref>silicon</ref> محسوب میشود، با این مزیت که تراشههای ساختهشده از آرسنید گالیوم، انرژی الکتریکی کمتری مصرف، و دادهها را سریعتر پردازش میکنند. | ||
| |
نسخهٔ کنونی تا ۱۶ نوامبر ۲۰۲۳، ساعت ۱۹:۵۶
آرْسِنیدِ گالیوم (gallium arsenide)
ترکیب گالیوم[۱] و آرسنیک[۲]، GaAs. برای ساخت لیزرها، سلولهای نوری، و مولدهای ریزموج بهکار میرود. بهسبب دارابودن خواص نیمرسانایی، برای ساختن ریزپردازندهها رقیب سیلیسیم[۳] محسوب میشود، با این مزیت که تراشههای ساختهشده از آرسنید گالیوم، انرژی الکتریکی کمتری مصرف، و دادهها را سریعتر پردازش میکنند.