آلفروف، ژورس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م): تفاوت میان نسخه‌ها

<p style="text-align: justify;">آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰-2019م)(Alferov, Zhores)</p> <p style="text-align: justify;">{{جعبه زندگینامه

}}فیزیک‌دان روس. با فیزیک‌دان آلمانی، [[کرومر، هربرت (۱۹۲۸)|هربرت کرومر]]<ref>Herbert Kroemer</ref>، و مهندس برق امریکایی، جک کیلبی<ref>Jack S. Kilby</ref>، به‌خاطر تحقیق دربارۀ فناوری اطلاعات و ارتباطات، در سال ۲۰۰۰م [[نوبل، جایزه|جایزۀ نوبل]] فیزیک گرفت. آلفروف در توسعۀ ساختارهای ناهمگن<ref>heterostructures</ref> [[نیم رسانا|نیم‌رسانا]]<ref>semiconductor</ref> پیش‌گام بود که در حوزۀ الکترونیکِ سرعت زیاد<ref>high-speed electronics</ref> و اُپتوالکترونیک<ref>optoelectronics</ref> به‌کار می‌روند. اُپتوالکترونیک شاخه‌ای از الکترونیک برای ساخت وسایلی است که هم نسبت به [[الکترون]] و هم نسبت به [[فوتون]] حساس‌اند. در ۱۹۶۳م، مستقلاً اصلی را مطرح کرد که ساختار دستگاه لیزری<ref>laser</ref> را شرح می‌داد و با استفاده از قطعات نیم‌رسانای ناهمگن ساخته می‌شد. نیم‌رساناهایی که ساختار ناهمگن دارند، مثل [[آرسنید گالیوم]]<ref>gallium arsenide</ref>، از لایه‌های نازکی تشکیل می‌شوند که یک در میان نیم‌رسانایند. در ۱۹۶۹م، اولین نیم‌رسانای ناهمگنی را ساخت که لایه‌های آن مجزا بود. به کمک این ساختار، لیزرهای نیم‌رسانای قابل ‌استفاده در دمای اتاق ساخته شد. لیزرهای نیم‌رسانا معمولاً در دستگاه‌های پخش لوح فشرده و بارکُدخوان<ref>barcode reader</ref>ها، و ارسال اطلاعات از طریق کابل تارِ نوری<ref>fibre optic cable</ref> به‌کار می‌روند. آلفروف در [[ویتسیبسک|ویتسیِبسک]]<ref>Vitsyebsk</ref>، واقع در [[بلاروس]]، زاده شد. در ۱۹۵۳م، به مؤسسۀ فیزیک و مهندسی اِی اف آیوف<ref>A. F. Ioffe Physico-Technical Institute</ref> در [[سن پترزبورگ|سن‌پترزبورگ]]<ref>St Petersburg</ref> [[روسیه]] پیوست و در ۱۹۸۷م، مدیریت آن‌جا را برعهده گرفت. در ۱۹۸۹م، نایب‌رئیس آکادمی علوم روسیه<ref>Russian Academy of Sciences</ref>&nbsp;شد.<br/> &nbsp;</p>